1-1.請使用示波器或頻率計測量晶振兩端輸出的信號。如果沒有信號輸出，請依照步驟1-1至步驟1-4執行檢查。若晶振輸出端（Xout）有信號輸出，但輸入端（Xin）無信號輸出，請依照步驟1-5至步驟1-6檢查晶振。

1-2.請卸下晶振并使用專業測試機測試其頻率和負載電容，看看它們是否振動并符合您的規格。您也可以將其發送給您的供應商，讓他們為您進行測試。

1-3.如果出現以下情況，晶振不振動，負載電容與您的規格不符，或者當前頻率與您的目標頻率差距較大，請將晶振寄給您的供應商進行質量分析。如果頻率和負載電容符合您的規格，我們將需要進行等效電路測試。

1-4.等效電路測試

1-4-1.一般來說，微處理器的振蕩電路源自于科爾皮茲電路，如下所示：圖片1 Cd和Cg是外部負載電容，已內置在晶片組中。（請參閱晶片組規格）Rf為回授電阻，200KΩ~1MΩ。它通常是內置在晶片組中。Rd為限流電阻，阻值為470Ω~1KΩ。一般電路不需要這個電阻，只有高功率電路才需要這個電阻。

1-4-2.一個穩定的振蕩電路需要負電阻，其阻值至少應為晶振電阻的5倍?？梢詫懗蓔-R| > 5盧比。例如，要獲得穩定的振蕩電路，當晶振電阻為40Ω時，IC的負阻值必須在–200Ω以下。

1-4-3.「負阻」是評價振蕩電路好壞的標準。在某些情況下，如老化、熱變化、電壓變化等，如果“Q”值較低，電路可能不會振蕩。因此，請按照以下說明測量負電阻（-R）非常重要：

將電阻（R）與晶體串聯從振蕩起始點到終止點調節R的值。測量振蕩期間的R值。您將能夠獲得負電阻值|–R| = R + Rr，Rr =晶體電阻。附：連接電路的雜散電容可能會影響測量值。

1-4-4.如果晶振參數正常，但在振蕩電路中工作不穩定，則需要檢查IC的阻值是否太低，無法驅動電路。如果是這樣的話，我們可以透過三種方法來改善這種情況：降低外部電容（Cd和Cg）的值，并采用負載電容（CL）較低的其他晶體。采用電阻（Rr）較低的晶體。測量振蕩期間的R值。采用Cd和Cg不等值的設計。我們可以增加Cd（Xout）的負載電容，減少Cg（Xin）的負載電容，以提高Xin輸出的波形幅度，用于其后端電路。

1-5.當Xout有信號輸出而Xin沒有信號輸出時，代表后電極后端電路的功耗極大。我們可以在電路的輸出與其后電極之間添加一個緩沖器來驅動后端電路。

1-6.除了上述1-1 ~ 1-5的方法外，您還可以按照步驟1-4-4中的三種方法進行操作。如果無法解決您的問題，請聯絡晶體或IC制造商的現場應用工程師以獲得進一步的協助。

FL = FR *（1 + C1 / 2 *（C0 + CL））其中此曲線表示電容變化隨頻率變化的變化（頻率可驅動性）：

如果頻率計數器測得的頻率高于目標頻率，則應增加電容值（CL，或Cd&Cg）以將頻率降低至目標頻率，反之亦然。請檢查調整頻率后波形幅度是否有改善。如果有所改善，則表示電路的原始設計沒有調諧到晶體的最佳諧振點。調整諧振點后，晶體應能正常運作。

2-3.如果頻率非常接近目標頻率但波形幅度沒有改善，我們可以透過以下三種方法來改善：

方法1：降低外部電容（Cd、Cg）值，采用負載電容（CL）較低的晶振。

方法2：采用電阻（Rr）較低的晶振。

方法3：采用Cd、Cg不等值設計。我們可以增加Cd（Xout）的負載電容，減少Cg（Xin）的負載電容，以提高Xin輸出的波形幅度，用于其后端電路。建議您采用以上方法，既節省成本又確保安全

2-4.請使用頻率計數器測量晶振，以確保波形振幅改善后調整后的頻率仍符合原始規格。如果頻率不符合規格，請根據您的目標頻率采用合適CL值的晶振。

2-5.如果頻率遠高于目標頻率，請采用較低CL的晶體，反之亦然。

4-1.下面的曲線代表了晶體的電阻特性：

晶體有多種振動模式，如基波、三階泛音、五階泛音…等。當采用基波模式時，晶體的電阻最低，這意味著晶體最容易振蕩。當采用第三音模式時，必須利用放大電路將基模的頻率回授降低到小于第三音模式的程度。因此，如果頻率僅為目標頻率的三分之一，則應檢查是否使用了放大電路或其設定值是否足夠，因為電路環境適合基頻模式而不是第三音模式。

4-2.如果不使用放大電路或放大電路設定值不夠，電路可能不會振蕩。

4-3.基本模式與第三音模式的應用如下：

a.基本模式的應用

b.第三音模式的應用

4-4.下表為Third-Tone模式下不同頻率下L、C的匹配值：