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Q1
晶體的頻率驅動能力不夠或頻率變化不對稱
<A1
11-1.如下圖所示，VCXO電路的電容與驅動能力呈負相關，即電容越小，頻率牽引范圍（FL-Fr）越大，反之亦然。/由于VCXO電路的電容是由壓敏電阻控制的，所以我們可以使用電容值??較小的壓敏電阻或調節范圍較寬的壓敏電阻來擴大頻率驅動范圍。
11-2.除了外部電路調整外，晶體參數的特性也會影響頻率驅動范圍。其參考參數有Trim Sensitivity（TS）、C0/C1（r）、C1、C0等。各參數與頻率驅動力的關系如下：C0↑，C1↑，C0/C1（r）↓，TS↑，驅動力↑
11-3.如果頻率驅動范圍不夠，我們還可以調整晶體的規格以滿足目標范圍。
11-4.當由于驅動范圍不對稱而導致一側驅動力不夠而另一側驅動力太大時，我們可以調整晶振的負載電容（CL），使其達到對稱且兩側驅動力足夠。
Q2
晶振安裝在PCB上時
<A2
12-1.根據圖11-1所示的晶振驅動力曲線可知，電容值越小，對頻率變化的影響越大。如果頻率分布過寬，請依下列方法處理：增大電容Cd和Cg的值，并采用負載電容（CL）更大的晶體。Cd和Cg使用更復雜的電容（電容變化很?。Ｊ褂酶艿木w（頻率變化不大）。
12-2.此外，如果由于PCB的雜散電容較大而無法改善頻率分布以滿足規格，則可能需要根據雜散電容的來源進行新的布局。
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